[发明专利]改善4 inch GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法

摘要

一种改善4 inch GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法，所述GaN基外延片中缓冲层的生长方法如下：（1）将4inch衬底在氢气气氛下，高温清洁衬底表面后，进行氮化处理；（2）氮化处理结束后，进行固定AL组分的ALxGa1-xN缓冲层的生长，厚度保持在0-10nm之间；（3）固定AL组分的ALxGa1-xN缓冲层的生长结束后进行GaN薄层的生长，厚度保持在0-5nm之间；(4)进行上述（2）、（3）步骤的交替生长，进行5~20个循环；（5）上述生长的缓冲层结束后，进行其它各层的生长。该结构能够有效减少量子阱区的缺陷密度，获得高片内均匀性和高波长集中度的外延片。

主权项

一种改善4 inch GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法，所述GaN基外延片从下向上的顺序依次为：衬底层、缓冲层、不掺杂的高温GaN层、Si掺杂的n型GaN层、多量子阱发光层、低温P型GaN层、 P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，其特征在于，其中缓冲层的生长步骤如下：（1）将4 inch衬底在氢气气氛下，高温清洁衬底表面后，进行氮化处理；  （2）氮化处理结束后，进行固定AL组分的ALxGa1‑xN缓冲层的生长，厚度保持在0‑10 nm之间，其中0.05

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