[发明专利]半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模有效
| 申请号： | 201310225006.4 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN104051292B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 林镇元;詹景琳;林正基;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模，该半导体装置包括至少一第二场区，包括一主晶粒阵列，每一晶粒具有一高度Y1以及一宽度X1，且该主晶粒阵列具有一高度Y3；该半导体装置更可包括至少一第一场区，包括具有一高度Y2及一宽度X2的一监视区，以及具有一高度Y2且包括一辅助晶粒阵列的一辅助晶粒区。各区的尺寸可互相成比例，使得X2＝n1×X1+adjustment1、Y2＝n3×Y1+adjustment3以及Y3＝n4×Y2+adjustment4，其中n1、n3、与n4为整数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作 方法 使用 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：至少一第二场区，包括:一主晶粒(dies)阵列，每一晶粒具有一高度Y1以及一宽度X1，且该主晶粒阵列具有一高度Y3，以及至少一第一场区，包括：一监视区，具有一高度Y2及一宽度X2，以及一辅助晶粒区，包括一辅助晶粒阵列；其中：X2＝n1×X1+adjustment1、Y2＝n3×Y1+adjustment3Y3＝n4×Q+adjustment4；n1、n3与n4为整数；以及Q为Y2的一因子；以及而且其中这些高度包括于该半导体装置的一平面中一第一方向所制成的个别量度，以及这些宽度包括于该半导体装置的该平面中一第二方向所制成的个别量度，该第二方向是与该第一方向正交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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