[发明专利]半导体封装中的CTE适配有效
| 申请号： | 201310225207.4 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103489850B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | T.迈耶;G.奥夫纳;S.施特克尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔德国有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 谢攀,李浩 |
| 地址： | 德国诺*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体封装中的CTE适配。提出了一种诸如晶片级封装（WLP）器件之类的器件，其中，电介质层被布置在半导体器件的表面和重分布层（RDL）的表面之间。所述电介质层可以具有延伸穿过电介质层的至少一个互连。所述电介质层可以具有垂直于半导体器件的表面的方向上的小于阈值的热膨胀系数（CTE）值，以及大于另一个阈值的杨氏模量。所述电介质层在平行于半导体器件的表面的方向上在面对RDL的电介质层的表面处可以具有大于另一个阈值的CTE值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 中的 cte 适配 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体器件，在所述半导体器件的第一表面上具有至少一个电接触；导电重分布层；以及电介质层，被布置在所述第一表面和重分布层的表面之间，所述电介质层具有延伸穿过电介质层并且将所述至少一个电接触电耦合于重分布层的至少一个互连，其中，所述电介质层具有垂直于所述第一表面的方向上的热膨胀系数（CTE）值和杨氏模量，其中，所述电介质层的CTE值小于第一阈值，以及其中，所述电介质层的杨氏模量大于第二阈值，其中，确定所述电介质层的材料和厚度来增大其在平行于所述第一表面的方向上的热膨胀系数（CTE）值，同时保持所述电介质层的在垂直于所述第一表面的方向上的热膨胀系数（CTE）值接近于所述至少一个互连的热膨胀系数（CTE）值。
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