[发明专利]一种低辐射Low-E玻璃的制造方法无效
| 申请号： | 201310225915.8 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103265182A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 林嘉佑 | 申请（专利权）人： | 林嘉佑 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 中国台湾太仓港*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种低辐射Low-E玻璃的制造方法，包括：提供玻璃基底；在所述玻璃基底上形成至少第一电介质层；通过磁控溅射法在所述第一电介质层上沉积所述红外反射种子层，在所述红外反射种子层上通过离子束辅助沉积法沉积红外反射附加层；在所述玻璃基底之红外反射层上沉积第二电介质层。本发明所述Low-E玻璃制造方法所获得的Low-E玻璃具有以下特性：a.方块电阻下降，改善红外反射特性；b.辐射率变小；c.阳光控制膜系的耐加工性能增强。同时，通过本发明所述Low-E玻璃的制造方法所获得的Low-E玻璃之红外反射层由原有的外向应力转变为内向应力，极大的改善所述阳光控制膜系的耐酸碱腐蚀性、抗氧化性、湿热性、耐高温性等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 low 玻璃 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低辐射Low‑E玻璃的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：步骤S1：提供玻璃基底；步骤S2：在所述玻璃基底上形成至少第一电介质层；步骤S3：在所述第一电介质层上沉积所述红外反射层，具体地，通过磁控溅射法在所述第一电介质层上沉积所述红外反射种子层，在所述红外反射种子层上通过离子束辅助沉积法沉积红外反射附加层；步骤S4：在所述玻璃基底之红外反射层上沉积第二电介质层。
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