[发明专利]一种钼及其合金的连续镀硅工艺有效

专利信息
申请号: 201310226315.3 申请日: 2013-06-07
公开(公告)号: CN103320735A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 张颖异;李运刚;赵杰;师学峰 申请(专利权)人: 钢铁研究总院
主分类号: C23C2/04 分类号: C23C2/04
代理公司: 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 代理人: 刘月娥
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种钼及其合金的连续镀硅工艺,属于金属基复合材料的连续生产技术领域。采用钼及其合金的清洗-预热-连续镀硅-退火合金化-镀样冷却的连续镀硅工艺,能够对钼及其合金进行连续镀硅生产钼基复合材料。处理对象包括纯钼材料、钼铌合金材料、钨钼合金材料、铬钼合金材料科学、镍钼合金材料、硅钼合金材料等。能够连续制备出镀层致密均匀、表面规则平整、耐腐蚀、抗高低温氧化的钼基复合材料,复合材料的类型包括Mo-MoSi2/Si、Mo-Nb-MoSi2/NbSi2/Si、Mo-W-MoSi2/WSi2/Si、Mo-Cr-MoSi2/CrSi2、Mo-Ni-MoSi2/NiSi2/Si等耐腐蚀、抗氧化的金属基复合材料,优点在于,简化了生产工艺、降低了生产成本、提高了产品质量、有效的提高生产效率。
搜索关键词: 一种 及其 合金 连续 工艺
【主权项】:
一种钼及其合金的连续镀硅工艺,其特征在于:处理对象是钼及其合金;工艺步骤如下:(1)钼及其合金材料的开卷、夹送、矫直:将钼及其合金材料用开卷机开卷、经夹送后进行矫直,使其表面规则、平整;(2)焊接、清洗:焊接采用CO2气体保护焊接机焊接; (3)预热;将钼及其合金材料在氩气保护感应预热炉内预热到250℃~350℃; (4)硅液制备:采用大型真空感应将纯度为7N的多晶硅加热到1450~1500℃,加热炉气氛为氩气保护气氛;(5)连续镀硅‑气刀处理:将钼及其合金在氩气保护气氛中送入硅槽,进行硅层涂镀处理,涂镀温度在1450~1500℃,并通过气刀来控制钼及其合金材料表面的镀层重量,气刀采用镀层重量自动闭环控制及人工微调控制;(6)退火合金化:将钼及其合金镀件送入真空可控气氛退火炉内进行,退火温度为1000~1400℃,退火时间为1~3小时,退火气氛为氩气保护气氛; (7)镀件冷却:将涂镀后的镀件进行氩气喷射冷却和水淬冷却;首先用氩气喷射冷却将镀件冷却至150~250℃,然后在进入水淬槽进行冷却至50℃~80℃;(8)光整、矫直:光整矫直是将镀件出冷却塔后用光整机进行光整,并于拉矫机进行矫直,以保证镀件的光整平直;(9)烘干卷取:采用电加热方式烘干镀件,烘干温度控制在60~120℃,待烘干后检测表明质量并用芯轴套管悬臂式卷取机卷取。
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