[发明专利]薄膜场效应晶体管及其驱动方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201310226377.4 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311312A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吴博;祁小敬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜场效应晶体管及其驱动方法、阵列基板、显示装置。所述薄膜场效应晶体管包括栅极金属层及半导体层，还包括：导流层，所述栅极金属层与所述半导体层之间形成电场时，所述导流层与所述栅极金属层之间也形成电场，利用所述导流层与所述栅极金属层之间的电场，所述半导体层累积加强所述栅极金属层与所述半导体层之间电场的电子或空穴。所述薄膜场效应晶体管通过设置导流层，从薄膜场效应晶体管本身结构上的改进影响其电流特性，实现阈值电压及漏电流的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 场效应 晶体管 及其 驱动 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜场效应晶体管，包括栅极金属层及半导体层，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管还包括：导流层，所述栅极金属层与所述半导体层之间形成电场时，所述导流层与所述栅极金属层之间形成电场，利用所述导流层与所述栅极金属层之间的电场，所述半导体层累积加强所述栅极金属层与所述半导体层之间电场的电子或空穴。
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