[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310226626.X | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN104240633B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 许嘉哲;黃家琦;许民庆 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人： | 姜怡,阚梓瑄 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开提供一种有源矩阵有机发光二极管组件，包括衬底和位于所述衬底上的多个像素，每个像素至少包括有机发光二极管、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管用于驱动所述有机发光二极管，所述第一薄膜晶体管用于驱动所述第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括位于所述衬底之上的缓冲层、位于所述缓冲层上的半导体层、覆盖所述半导体层的栅绝缘层、及位于所述栅绝缘层上的栅电极，所述半导体层包括第一导电类型的源区和漏区，以及所述半导体层还包括在所述半导体层底部的位于所述源区和所述漏区之下的第二导电类型的底部掺杂区。由此，可改善AMOLED组件的漏电流，避免因漏电流过大造成组件操作不稳定甚至失效。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 有源 矩阵 有机 发光二极管 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有源矩阵有机发光二极管组件，包括衬底和位于所述衬底上的多个像素，每个像素至少包括有机发光二极管、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管用于驱动所述有机发光二极管，所述第一薄膜晶体管用于驱动所述第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括位于所述衬底之上的缓冲层、位于所述缓冲层上的半导体层、覆盖所述半导体层的栅绝缘层、及位于所述栅绝缘层上的栅电极，其中所述缓冲层包括氮化硅层和所述氮化硅层上的氧化硅层，所述氧化硅层的上表面利用O2、N2、NH3、H2之一进行处理，所述半导体层包括第一导电类型的源区和漏区，以及所述半导体层还包括在所述半导体层底部的位于所述源区和所述漏区之下的第二导电类型的底部掺杂区，其中所述底部掺杂区的杂质浓度大于9x1014/cm2，且所述底部掺杂区与所述缓冲层邻接。
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