[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310228235.1 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103489999A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 水谷浩一;稻泽良平;池本由平;多井中伴之 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。具体而言，提供了一种包括覆盖层和接合层的第III族氮化物半导体发光器件，该器件意在抑制驱动电压的增加；还提供了一种用于制造该发光器件的方法。第III族氮化物半导体发光器件包括半导体层、p电极以及在p电极的与半导体层相反的表面上形成的覆盖层。覆盖层通过在p电极上依次堆叠粘合层和第一金属覆盖层而形成。粘合层由具有-500kJ/摩尔至-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能的材料形成。第一金属覆盖层具有高于-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：第III族氮化物半导体层；与所述半导体层接触的p电极；覆盖所述p电极的主表面的至少一部分的覆盖层；和覆盖所述覆盖层的主表面的至少一部分的接合层，其中所述覆盖层包括由具有高于‑100kJ/摩尔的氧化物形成自由能的金属形成的第一金属覆盖层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310228235.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂电池隔膜
- 下一篇：发光二极管封装结构及其制作方法
