[发明专利]混频开关电路及混频器有效
| 申请号： | 201310228294.9 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104242823B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 黄颋 | 申请（专利权）人： | 锐迪科微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/12 | 分类号： | H03D7/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种混频开关电路，包括四对共源极且共漏极的NMOS晶体管和PMOS晶体管；一对差分输入信号分别连接第一对晶体管和第二对晶体管的共漏极、第三对晶体管和第四对晶体管的共漏极；第一对晶体管和第三对晶体管的共源极、第二对晶体管和第四对晶体管的共源极分别输出一对差分中间信号；每一对晶体管的栅极分别连接一对差分本振信号；所有NMOS晶体管的栅极具有NMOS偏置电压，所有PMOS晶体管的栅极具有PMOS偏置电压，并且NMOS偏置电压与PMOS偏置电压不同。本申请还公开了由该混频开关电路所组成的混频器。本申请混频器具有线性度好、噪声低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 混频 开关电路 混频器 | ||
【主权项】：
一种混频开关电路，其特征是，包括四对共源极且共漏极的NMOS晶体管和PMOS晶体管，其中NMOS晶体管一同PMOS晶体管一组成第一对晶体管，NMOS晶体管二同PMOS晶体管二组成第二对晶体管，NMOS晶体管三同PMOS晶体管三组成第三对晶体管，NMOS晶体管四同PMOS晶体管四组成第四对晶体管；一对差分输入信号VIN+和VIN‑，VIN+连接第一对晶体管和第二对晶体管的共漏极，.VIN‑连接第三对晶体管和第四对晶体管的共漏极；第一对晶体管和第三对晶体管的共源极输出VMID+，第二对晶体管和第四对晶体管的共源极输出VMID‑，VMID+同VMID‑为一对差分中间信号；本振信号VLO+和VLO‑为一对差分信号，同一对晶体管的一个晶体管栅极接VLO+，另一个晶体管栅极接VLO‑；所有NMOS晶体管的栅极具有NMOS偏置电压，所有PMOS晶体管的栅极具有PMOS偏置电压，并且NMOS偏置电压与PMOS偏置电压不同。
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