[发明专利]一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法在审
| 申请号： | 201310228422.X | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103346088A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 麻芃;金智;史敬元;张大勇;彭松昂;陈娇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，该方法是利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下栅介质，对石墨烯顶栅FET器件进行腐蚀，去除栅源、栅漏间石墨烯沟道区上覆盖的栅介质，然后蒸镀一层金属覆盖栅源、栅漏间石墨烯材料上形成金属石墨烯接触，消除栅源、栅漏之间距离引入的沟道通路电阻。本发明采用自对准工艺蒸镀源漏金属，避免了栅源、栅漏间的距离产生的通路寄生电阻，从而有效地增加了石墨烯顶栅FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 石墨 烯顶栅 fet 器件 寄生 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，其特征在于，该方法是利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下栅介质，对石墨烯顶栅FET器件进行腐蚀，去除栅源、栅漏间石墨烯沟道区上覆盖的栅介质，然后蒸镀一层金属覆盖栅源、栅漏间石墨烯材料上形成金属石墨烯接触，消除栅源、栅漏之间距离引入的沟道通路电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
