[发明专利]外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室无效
| 申请号： | 201310228590.9 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103305906A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 周仁;林翔 | 申请（专利权）人： | 光垒光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/12;C30B25/14;C30B29/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室，包括：腔壁，所述腔壁围成一腔体空间；载片盘，所述载片盘位于所述腔体空间内；第一供气装置，所述第一供气装置用于通入III族源或II族源反应气体，所述第一供气装置包括第一出气口，所述第一出气口与所述载片盘的盘面相对设置；第二供气装置，所述第二供气装置用于通入氮源反应气体，所述第二供气装置包括第二出气口，所述第二出气口设置于所述载片盘周边；排气口，所述排气口位于所述载片盘中心。所述反应腔室能够保持载片盘边缘位置和中心位置温度的均匀，进而提高通过MOCVD工艺所形成的膜层的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 沉积 氮化 iii ii 材料 反应 | ||
【主权项】：
一种外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室，包括：腔壁，所述腔壁围成一腔体空间；载片盘，所述载片盘位于所述腔体空间内；第一供气装置，所述第一供气装置用于通入III族源或II族源反应气体，所述第一供气装置包括第一出气口，所述第一出气口与所述载片盘的盘面相对设置；其特征在于，还包括：第二供气装置，所述第二供气装置用于通入氮源反应气体，所述第二供气装置包括第二出气口，所述第二出气口设置于所述载片盘周边；排气口，所述排气口位于所述载片盘中心。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光垒光电科技（上海）有限公司，未经光垒光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310228590.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热处理反应管构件
- 下一篇：三维贯穿的阳极氧化铝模板的制备方法
