[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310228868.2 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104009074B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘柏均;陈祈铭;喻中一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包括第一III‑V化合物层。第二III‑V化合物层设置在第一III‑V化合物层上并且与第一III‑V化合物层在成分上不同。载流子沟道位于第一III‑V化合物层与第二III‑V化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III‑V化合物层上。栅电极设置在源极部件与漏极部件之间的第二III‑V化合物层上。氟区嵌入栅电极下方的第二III‑V化合物层中。扩散势垒层设置在第二III‑V化合物层的顶部。栅极介电层设置在第二III‑V化合物层上方。栅极介电层具有位于氟区上并位于至少部分栅电极下方的氟段。本发明公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一III‑V化合物层；第二III‑V化合物层，设置在所述第一III‑V化合物层上并与所述第一III‑V化合物层在成分上不同，其中，所述第一III‑V化合物层与所述第二III‑V化合物层之间设有载流子沟道；源极部件和漏极部件，设置在所述第二III‑V化合物层上；栅电极，设置在所述源极部件与所述漏极部件之间的所述第二III‑V化合物层的上方；第三III‑V化合物层，设置在所述第二III‑V化合物层上方，其中，所述第二III‑V化合物层与所述第三III‑V化合物层之间设有扩散势垒层；以及栅极介电层，设置在所述第二III‑V化合物层的一部分上方同时设置在所述第三III‑V化合物层的整个顶面上方，其中，对设置在所述第二III‑V化合物层的所述一部分上方的所述栅极介电层进行氟处理，其中，所述扩散势垒层中形成的极化感应场的方向与所述第二III‑V化合物层中场的方向相反。
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