[发明专利]一种表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法无效
申请号: | 201310229780.2 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN103346206A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 徐东;徐永清;杨杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市亚太兴实业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518103 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明适用于光伏新能源材料技术领域,提供了一种表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤:制备铜铟镓硒纳米颗粒;制备铜铟镓硒纳米晶墨水;制备铜铟镓硒薄膜;铜铟镓硒薄膜硫化处理。本发明工艺简单,操作方便,成本低廉,便于太阳能薄膜电池的规模化生产,优化了铜铟镓硒硫薄膜的能带结构,使之能充分利用太阳光谱的能量,进而促进了电池界面性能的提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 铜铟镓硒 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法,包括以下步骤:将铜盐、铟盐、镓盐和硒源化合物与油胺混合,合成铜铟镓硒纳米颗粒;将所述铜铟镓硒纳米颗粒分散在有机溶剂中形成铜铟镓硒纳米晶墨水;将所述铜铟镓硒纳米墨水在基体上涂膜,形成铜铟镓硒前驱体预制膜,经过退火处理后得到铜铟镓硒薄膜;在硫源存在的条件下,将所述铜铟镓硒硫薄膜在450‑550°C进行硫化处理,得到表面富硫的铜铟镓硒薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的