[发明专利]多波长激光器阵列芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201310230999.4 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103311807A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 梁松;张灿;韩良顺;朱洪亮;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层；步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区；步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对；步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层；步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅；步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层；步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度；步骤8：在有源波导波导上制作P电极；步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 激光器 阵列 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括如下制作步骤： 步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层； 步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区； 步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对； 步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层； 步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅； 步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层； 步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度； 步骤8：在有源波导波导上制作P电极； 步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。
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