[发明专利]存储器件及存储设备有效
| 申请号： | 201310231154.7 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103514948B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 清宏彰;大场和博;曾根威之;五十岚実 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明期望提供能够减小多个器件之间的电导值偏差的一种存储器件及包括所述存储器件的存储设备，所述存储器件包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。所述第一电极、所述存储层及所述第二电极依次设置。所述离子源层包含可移动元素，并具有约150mΩ·cm～约12000mΩ·cm（包括端值）的体积电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 设备 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，其包括：第一电极；存储层，其包括离子源层；以及第二电极，所述第一电极、所述存储层及所述第二电极依次设置，其中，所述离子源层不含铝及铜，包含可移动元素，并具有150mΩ·cm～12000mΩ·cm的体积电阻率。
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