[发明专利]一种基于LSPR的无实体壁微阵列芯片及其应用有效
申请号: | 201310231620.1 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN103335984A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 杜亚楠;谢丽萍;鄢晓君 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01N21/55 | 分类号: | G01N21/55 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于LSPR的无实体壁微阵列芯片及其应用。所述芯片的片基为亲疏水模式片基,包括基底和设于所述基底上的若干亲水区域及将所述亲水区域隔开的疏水区域,所述亲水区域表面为具有局域表面等离子共振属性的金属纳米材料层;所述亲水区域的外部区域无实体壁;所述疏水区域表面为疏水材料层。在本发明所提供的片基上结合检测待测物质的特异亲和分子,即得到本发明的芯片。本发明所提供的芯片具有使用简单方便、检测成本低、结果准确、可重复使用等优点,可以检测包括小分子、重金属离子、蛋白、细菌、病毒等多种物质,在医疗卫生、环境监测、科学实验等领域将有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 lspr 实体 阵列 芯片 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种微阵列芯片专用的亲疏水模式片基,包括基底和设于所述基底上的若干亲水区域及将所述亲水区域隔开的疏水区域,其特征在于:所述亲水区域是在所述基底上通过偶联剂连接具有局域表面等离子共振属性的金属纳米材料;所述疏水区域是在所述基底上连接疏水材料;所述亲水区域的外部区域无实体壁。
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