[发明专利]一种GaN基LED的PGaN结构及其外延生长方法无效
| 申请号： | 201310231920.X | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103346224A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 罗绍军;艾常涛;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基LED的PGaN结构及其外延生长方法。其中，GaN基LED的PGaN结构为：所述GaN基LED的PGaN结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、第一非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层、有源区MQW层、量子阱保护层、P型AluInnGa1-u-nN层、第二非故意掺杂u-GaN层、P型GaN层、接触层，其中，所述第二非故意掺杂u-GaN层为在生长温度大于或等于1100摄氏度并且小于或等于1250摄氏度范围内生长出来的非故意掺杂u-GaN层。本发明的GaN基LED的PGaN结构，晶体质量好，发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led pgan 结构 及其 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED的PGaN结构，其特征在于，所述GaN基LED的PGaN结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、第一非故意掺杂u‑GaN层、N型掺杂GaN层、有源区MQW层、量子阱保护层、P型AluInnGa1‑u‑nN层、第二非故意掺杂u‑GaN层、P型GaN层、接触层，其中，所述第二非故意掺杂u‑GaN层为在生长温度大于或等于1100摄氏度并且小于或等于1250摄氏度范围内生长出来的非故意掺杂u‑GaN层。
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