[发明专利]一种制造氮化物渐变能隙谐振隧穿欧姆接触的方法有效

专利信息
申请号: 201310232060.1 申请日: 2013-06-13
公开(公告)号: CN103337461A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 薛舫时 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种制造氮化物渐变能隙谐振隧穿欧姆接触的方法。本发明是一种衬底1上依次生长AlGaN/GaN异质结构2、AlGaN渐变能隙过渡层3和重掺杂GaN帽层4制造欧姆接触的方法;重掺杂GaN帽层4降低了金属-半导体接触势垒;渐变能隙过渡层3构成中间阱通过谐振隧穿降低欧姆接触电阻。本发明通过渐变能隙中间阱设计把高温合金工艺产生的金属-半导体接触势垒和异质结势垒分开,分别优化设计双垒单阱异质结构的能带,显著增大隧穿电流,降低欧姆接触。同时还由重掺杂GaN帽层设计省去了高温合金工艺,改善了接触的表面形貌、器件性能和可靠性。
搜索关键词: 一种 制造 氮化物 渐变 谐振 欧姆 接触 方法
【主权项】:
一种制造氮化物渐变能隙谐振隧穿欧姆接触的方法,包括工艺步骤:1)在衬底(1)上依次生长AlGaN/GaN异质结构(2),AlGaN渐变能隙层(3)和重掺杂GaN帽层(4),构成渐变能隙谐振隧穿欧姆接触异质结构,其特征是:2)针对选定的AlGaN/GaN异质结构(2),设计GaN帽层(4)的厚度和掺杂浓度来降低金属-半导体接触势垒;增大从金属到半导体的隧穿电流;3)在器件工作要求的AlGaN/GaN异质结构(2)上覆盖AlGaN渐变能隙层(3)和重掺杂GaN帽层(4),利用这两层覆盖层来压低异质结沟道阱的阱位,提高沟道阱中的二维电子气密度,尽量增大金属电极上低能电子隧穿到沟道阱的几率,提高隧穿电流;4)计算介于重掺杂GaN帽层(4)和AlGaN/GaN异质结构(2)之间的AlGaN渐变能隙层(3)的能带,调节渐变能隙层的宽度、掺杂浓度和能带渐变梯度,剪裁能带,形成一个中间阱;调节中间阱的宽度、深度和电子的量子限制特性,使量子限制能级接近于AlGaN/GaN异质结构(2)沟道阱中的基态能级,产生由中间阱到沟道阱的谐振隧穿,提高进入沟道阱的隧穿电流,降低欧姆接触电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所,未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310232060.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code