[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310232121.4 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241355B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 于书坤;韦庆松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括提供衬底，衬底具有第一区和第二区；形成位于第一区的多个第一栅极、位于第二区的多个第二栅极；形成位于第一栅极两侧衬底中的第一凹槽、位于第二栅极两侧衬底中的第二凹槽，第一凹槽底部至衬底表面的距离大于第二凹槽底部至衬底表面的距离，第一凹槽的分布密度小于第二凹槽的分布密度；在第一凹槽中外延生长第一半导体材料、在第二凹槽中外延生长第二半导体材料，第一半导体材料、第二半导体材料高出衬底表面，第一凹槽底部与第二凹槽底部至衬底表面的距离差确保高出衬底表面的第一半导体材料上表面、第二半导体材料上表面持平，保证晶体管性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区和第二区；形成位于第一区的多个第一栅极、位于第二区的多个第二栅极；形成位于所述第一栅极两侧衬底中的第一凹槽、位于第二栅极两侧衬底中的第二凹槽，第一凹槽的分布密度小于第二凹槽的分布密度，第一凹槽底部至衬底表面的距离大于第二凹槽底部至衬底表面的距离；在所述第一凹槽中外延生长第一半导体材料、在所述第二凹槽中外延生长第二半导体材料，所述第一半导体材料、第二半导体材料高出衬底表面，第一凹槽底部与第二凹槽底部至衬底表面的距离差确保：高出衬底表面的第一半导体材料上表面、第二半导体材料上表面持平。
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