[发明专利]条形结构的形成方法有效

专利信息
申请号: 201310232124.8 申请日: 2013-06-09
公开(公告)号: CN104241088B 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 孟晓莹;韩秋华 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/027
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种条形结构的形成方法,先在待刻蚀薄膜表面形成第一条形的硬掩膜图案,然后在第一条形的硬掩膜图案表面形成具有条形开口的第二光刻胶图形,由于后续会在所述第二光刻胶图形表面形成聚合物层,因此,利用光刻工艺形成的第二光刻胶图形的条形开口的宽度可以较宽,光刻难度较小,且后续可以利用所述聚合物层缩小所述条形开口的宽度,使得最终刻蚀形成的位于同一直线的两个条形结构端点之间的距离可以非常小。同时由于光刻工艺形成的第二光刻胶图形的条形开口的宽度较大,不需要使用硬度较小、厚度较小的光刻胶,使得位于同一直线的条形结构之间的侧壁形貌较佳,位于同一直线的条形结构不会发生短路。
搜索关键词: 条形 结构 形成 方法
【主权项】:
一种条形结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基板,在所述基板表面形成待刻蚀薄膜;在所述待刻蚀薄膜表面形成具有第一条形的硬掩膜图案;在所述待刻蚀薄膜和第一条形的硬掩膜图案表面形成具有条形开口的第二光刻胶图形,所述条形开口的长边方向与第一条形的硬掩膜图案的长边方向垂直,且所述条形开口暴露出部分第一条形的硬掩膜图案;在所述第二光刻胶图形顶部和侧壁表面形成聚合物层,使得第二光刻胶图形的条形开口的宽度变窄;以表面具有聚合物层的第二光刻胶图形为掩膜,对第一条形的硬掩膜图案进行刻蚀,使得所述第一条形的硬掩膜图案被断开,形成若干位于同一直线的具有第二条形的硬掩膜图案;以所述第二条形的掩膜层图案为掩膜,刻蚀待刻蚀薄膜直至暴露出所述基板,形成条形结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310232124.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top