[发明专利]条形结构的形成方法有效
申请号: | 201310232124.8 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN104241088B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 孟晓莹;韩秋华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/027 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种条形结构的形成方法,先在待刻蚀薄膜表面形成第一条形的硬掩膜图案,然后在第一条形的硬掩膜图案表面形成具有条形开口的第二光刻胶图形,由于后续会在所述第二光刻胶图形表面形成聚合物层,因此,利用光刻工艺形成的第二光刻胶图形的条形开口的宽度可以较宽,光刻难度较小,且后续可以利用所述聚合物层缩小所述条形开口的宽度,使得最终刻蚀形成的位于同一直线的两个条形结构端点之间的距离可以非常小。同时由于光刻工艺形成的第二光刻胶图形的条形开口的宽度较大,不需要使用硬度较小、厚度较小的光刻胶,使得位于同一直线的条形结构之间的侧壁形貌较佳,位于同一直线的条形结构不会发生短路。 | ||
搜索关键词: | 条形 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种条形结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基板,在所述基板表面形成待刻蚀薄膜;在所述待刻蚀薄膜表面形成具有第一条形的硬掩膜图案;在所述待刻蚀薄膜和第一条形的硬掩膜图案表面形成具有条形开口的第二光刻胶图形,所述条形开口的长边方向与第一条形的硬掩膜图案的长边方向垂直,且所述条形开口暴露出部分第一条形的硬掩膜图案;在所述第二光刻胶图形顶部和侧壁表面形成聚合物层,使得第二光刻胶图形的条形开口的宽度变窄;以表面具有聚合物层的第二光刻胶图形为掩膜,对第一条形的硬掩膜图案进行刻蚀,使得所述第一条形的硬掩膜图案被断开,形成若干位于同一直线的具有第二条形的硬掩膜图案;以所述第二条形的掩膜层图案为掩膜,刻蚀待刻蚀薄膜直至暴露出所述基板,形成条形结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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