[发明专利]非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法

摘要

一种非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法。所述非晶半导体材料的形成方法包括在半导体基底上形成半导体预备层；对半导体预备层进行紫外线照射处理至半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气；去除废气；重复形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤，直至在半导体基底上形成预定厚度的非晶半导体材料。所述金属硅化物的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底中包括源区和漏区；在源区和漏区上分别形成金属层；进行第一次退火处理；采用上述非晶半导体材料的形成方法在金属层上形成非晶半导体材料；进行第二次退火处理；去除非晶半导体材料。本发明可在400℃及以下的温度形成非晶半导体材料。

主权项

一种非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成半导体预备层，所述半导体预备层的形成过程为：向反应腔中通入硅的前驱气体，部分所述硅的前驱气体吸附在半导体基底的上表面形成半导体预备层，部分所述硅的前驱气体未吸附在半导体基底上而是处于悬浮状态；去除处于悬浮状态的所述硅的前驱气体；对所述半导体预备层进行紫外线照射处理，直至所述半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气，所述紫外线照射处理的温度小于或等于400℃；去除所述废气，在半导体基底上形成单层的非晶半导体材料；重复上述形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤，直至在所述半导体基底上形成预定厚度的非晶半导体材料。