[发明专利]一种多孔网状金纳米片阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201310232280.4 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103305881A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 冯九菊;吕章英;黄宏;周丹玲;王爱军;秦素芳 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | C25D3/48 | 分类号： | C25D3/48;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 321004 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多孔网状金纳米片阵列及其制备方法，属于金纳米材料技术领域。它解决了现有金纳米材料难以大规模生产的问题。本多孔网状金纳米片阵列通过如下步骤制备完成：（1）、配制含金离子的电解液；（2）、对电解液进行电沉积；（3）、在工作电极上形成多孔网状金纳米片阵列，制备而成的多孔网状金纳米片阵列呈多个多孔纳米片相互连接成网状结构。本多孔网状金纳米片阵列采用一步电沉积法制备而成，可直接在基底材料上直接制备多级结构的金纳米材料，可直接用于功能器件的构建。制备过程简单、可控，能耗低，能更好地控制纳米粒子的形貌和尺度，物纯度高，对环境友好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 网状 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔网状金纳米片阵列的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：（1）、配制含金离子的电解夜；（2）、采用三电极体系以稳定电位值对步骤(1)中的电解液进行电沉积；（3）、沉积一定时间后，在工作电极上形成多孔网状金纳米片阵列（AuPTSAs）。
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