[发明专利]单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元有效
| 申请号： | 201310233035.5 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103281072A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;陈锦锋;于志敏;何明华 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元，包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管，所述PMOS管的源极连接电源Vdd，栅极连接一基准电压Vpg，漏极作为所述双阈值逻辑单元的输出端并连接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vng，源极连接所述单电子晶体管的漏极，所述单电子晶体管的源极接地，背栅连接一背栅电压Vctrl，所述单电子晶体管包括四个输入端V1、V2、V3和V4，设置相应的V1，V2，V3，V4和Vctrl，即可实现任意的二变量逻辑函数。本发明可以实现双阈值的逻辑功能，具有可重构的特性，可以实现任意的二变量逻辑函数。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 晶体管 mos 构成 阈值 逻辑 单元 | ||
【主权项】：
一种单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元，包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源Vdd，所述PMOS管的栅极连接一基准电压Vpg，所述PMOS管的漏极作为所述双阈值逻辑单元的输出端并连接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vng，所述NMOS管的源极连接所述单电子晶体管的漏极，所述单电子晶体管的源极接地，所述单电子晶体管的背栅连接一背栅电压Vctrl，所述单电子晶体管包括四个输入端V1、V2、V3和V4，设置相应的V1，V2，V3，V4和Vctrl，即可实现任意的二变量逻辑函数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学，未经福州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310233035.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
