[发明专利]一种石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201310233173.3 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103311104A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 诸葛兰剑;金成刚;余涛;徐轶君;杨燕;黄天源;吴明智;吴雪梅;叶超 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底的石墨烯。本发明开发了一种新的石墨烯的制备方法，利用氟等离子体去除碳化硅表面硅原子并产生易挥发反应物质的性质制备石墨烯材料，所制备的石墨烯材料无需剥离，而是以广泛应用于电子学的宽禁带半导体碳化硅为绝缘衬底，与当前的与半导体工艺完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a) 碳化硅基片的清洗：选用<0001>取向的N型Si终止面单晶碳化硅，依次用碱性过氧化氢清洗液、去离子水、酸性过氧化氢清洗液、去离子水进行清洗，得到清洗好的碳化硅基片；(b) 采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片，首先通过氢等离子体对碳化硅基片进行进一步清洗，然后通过感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源对富含氟的气体放电产生氟等离子体基团，利用氟等离子体选择性地去除碳化硅基片表面的硅原子，并在基片表面形成富碳层薄膜；(c) 刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火实现所述富碳层薄膜的去氟化和石墨化，即可得到以碳化硅为衬底的石墨烯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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