[发明专利]一种检测刻蚀残留的方法有效
| 申请号： | 201310233393.6 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103337465B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王琳琳;陈曦;王守坤;袁剑峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种检测刻蚀残留的方法，涉及显示技术领域，可实现检测刻蚀残留的目的，从而提高产品良率;该方法包括获取待检测处的图案;对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图;根据所述红外光谱图，判断是否存在残留物质。用于制备阵列基板或对盒基板过程中刻蚀残留的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 刻蚀 残留 方法 | ||
【主权项】：
一种检测刻蚀残留的方法，其特征在于，包括：获取待检测处的图案，包括：采用膜层色差拟合出所述待检测处的图案的边界，并对所述待检测处的图案进行定位；对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图；根据所述红外光谱图，判断是否存在残留物质；所述对所述待检测处的图案进行红外光谱测试包括：采用傅里叶变换红外光谱仪对所述待检测处的图案进行红外光谱测试；所述对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图之前，获取所述待检测处的图案之后，所述方法还包括：通过设置与所述待检测处的图案对应的光阑，将所述傅里叶变换红外光谱仪的入射光限定在所述待检测处；所述光阑的透光部分的形状与所述待检测处的图案的形状相同，且面积小于等于所述待检测处的图案的面积。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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