[发明专利]一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，先在衬底上淀积金属氧化物半导体层、栅介质层和导电薄膜并光刻刻蚀图形化，在器件表面旋涂一层旋涂掺杂剂层，然后进行热处理使旋涂掺杂剂层中的掺杂原子扩散进入下层材料中。由于图形化的栅电极和栅介质的存在，掺杂原子只能扩散进入沟道区两侧的金属氧化物半导体区域，实现了对沟道两侧金属氧化物半导体进行掺杂的目的，极大的降低其电阻率，并形成自对准的源漏区域。该旋涂掺杂剂层还能充当器件的钝化层，并结合后道工艺如光刻刻蚀接触孔、引出电极和布线层制备完整的TFT器件。本发明制备的金属氧化物薄膜晶体管具有自对准结构，同时工艺简单，并且和大面积衬底工艺兼容。

主权项

一种自对准金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其步骤包括：1)在衬底上淀积金属氧化物半导体层；2)光刻和刻蚀所述金属氧化物半导体层，形成有源区图形；3)在衬底上生成覆盖在所述金属氧化物半导体层之上的绝缘栅介质层；4)在所述绝缘栅介质层上淀积一层栅极导电层；5)光刻和刻蚀所述栅极导电层和绝缘栅介质层，分别形成栅电极和栅介质图形；6)在整个衬底上旋涂一层旋涂掺杂剂层，然后对其进行热处理，使旋涂掺杂剂层中的掺杂原子扩散进入未被栅电极所覆盖的沟道区两侧的金属氧化物半导体中，形成低阻源漏区；7)进行晶体管制作的后续工艺。