[发明专利]等离子体装置内具有氧化钇包覆层的部件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310234238.6 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104241069B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 贺小明;倪图强;苏兴才 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J9/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置内具有氧化钇包覆层的部件，其包括部件本体；氧化钇包覆层，其覆盖部件本体暴露于等离子体的至少部分表面；以及形成于氧化钇包覆层表面的阻挡层，所述阻挡层阻止所述氧化钇包覆层中的氧化钇与含氟等离子体反应。本发明能够有效避免氧化钇包覆层与含氟等离子体产生氟化钇颗粒污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 装置 具有 氧化钇 覆层 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置内具有氧化钇包覆层的部件，其特征在于，包括：部件本体；氧化钇包覆层，其覆盖所述部件本体暴露于等离子体的至少部分表面；以及形成于所述氧化钇包覆层表面的氟化钇阻挡层，所述氟化钇阻挡层阻止所述氧化钇包覆层中的氧化钇与含氟等离子体反应，其中所述氟化钇阻挡层通过在进行等离子体处理工艺前，在所述等离子体处理装置的反应腔室内形成含氟等离子体，并由所述含氟等离子体与所述氧化钇包覆层的表面发生反应而形成。
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