[发明专利]制造芯片封装的方法、制造晶片级封装的方法和压缩装置有效

专利信息
申请号: 201310235204.9 申请日: 2013-06-14
公开(公告)号: CN103515253B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: E.菲尔古特;R.沃姆巴赫尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 马永利,刘春元
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于制造芯片封装的方法、用于制造晶片级封装的方法以及压缩装置。各个实施例提供了一种用于制造芯片封装的方法,所述方法包括在芯片上方形成密封材料;通过在密封材料上方布置的膜将所述密封材料压缩在芯片上方,从而将所述密封材料模塑在所述芯片上方;其中,来自所述膜的材料被沉积在所述密封材料的至少部分上方。
搜索关键词: 制造 芯片 封装 方法 晶片 压缩 装置
【主权项】:
一种用于制造芯片封装的方法,所述方法包括:在芯片上方形成密封材料;以及通过模塑框并且通过在所述密封材料上方布置的膜将所述密封材料压缩在芯片上方,从而将所述密封材料模塑在所述芯片上方;所述膜被附着到脱模膜;从密封材料去除模塑框的上部分;其中,所述膜被从脱模膜释放并且被沉积在所述密封材料的至少部分上方;其中所述膜包括粘附到密封材料的粗糙化侧和背对密封材料且粘附到脱模膜的光滑侧,从而所述膜的粗糙化侧提供了比在所述膜的光滑侧和脱模膜之间的粘附力更大的所述膜和密封材料之间的粘附力,以便当所述上部分被去除时,更大的粘附力保持所述膜的粗糙化侧被粘附到密封材料并且将所述膜从脱模膜释放。
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