[发明专利]制造芯片封装的方法、制造晶片级封装的方法和压缩装置有效
申请号: | 201310235204.9 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN103515253B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | E.菲尔古特;R.沃姆巴赫尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 马永利,刘春元 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于制造芯片封装的方法、用于制造晶片级封装的方法以及压缩装置。各个实施例提供了一种用于制造芯片封装的方法,所述方法包括在芯片上方形成密封材料;通过在密封材料上方布置的膜将所述密封材料压缩在芯片上方,从而将所述密封材料模塑在所述芯片上方;其中,来自所述膜的材料被沉积在所述密封材料的至少部分上方。 | ||
搜索关键词: | 制造 芯片 封装 方法 晶片 压缩 装置 | ||
【主权项】:
一种用于制造芯片封装的方法,所述方法包括:在芯片上方形成密封材料;以及通过模塑框并且通过在所述密封材料上方布置的膜将所述密封材料压缩在芯片上方,从而将所述密封材料模塑在所述芯片上方;所述膜被附着到脱模膜;从密封材料去除模塑框的上部分;其中,所述膜被从脱模膜释放并且被沉积在所述密封材料的至少部分上方;其中所述膜包括粘附到密封材料的粗糙化侧和背对密封材料且粘附到脱模膜的光滑侧,从而所述膜的粗糙化侧提供了比在所述膜的光滑侧和脱模膜之间的粘附力更大的所述膜和密封材料之间的粘附力,以便当所述上部分被去除时,更大的粘附力保持所述膜的粗糙化侧被粘附到密封材料并且将所述膜从脱模膜释放。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310235204.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:测试设备及测试方法
- 下一篇:一种气体压缩机检测方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造