[发明专利]一种晶体硅太阳电池生产工艺有效
申请号: | 201310235300.3 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN103311369A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 贾河顺;姜言森;任现坤;徐振华;张春艳;马继磊 | 申请(专利权)人: | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 徐槐 |
地址: | 250103 山东省济南*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳电池生产工艺,更具体的讲是一种晶体硅太阳电池生产工艺,其包括如下步骤:制绒、扩散、去除磷硅玻璃、PECVD沉积氮化硅、硅片酸溶液清洗、烘干、丝网印刷、烧结和分检,本发明的有益效果是:使用酸处理有氮化硅的硅片不但可以进一步去除背面的氧化层,有利于背表面对长波太阳光的反射;而且可以在硅片的前表面——氮化硅表面形成细小的粗糙表面,有利于太阳光在电池正表面对短波的吸收。这样可以增加太阳电池在整个太阳光波段的吸收,达到提高短路电流的效果,而且本发明酸处理设备成熟、成本低廉,操作简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳电池 生产工艺 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳电池生产工艺,包括如下步骤:制绒、扩散、去除磷硅玻璃、PECVD沉积氮化硅、硅片酸溶液清洗、烘干、丝网印刷、烧结和分检。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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