[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法无效
| 申请号： | 201310235525.9 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103280494A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;白杰;闫新春;陈龙;梁汉杰;张满良;安丹;陆宇峰 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 刘燕娇 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法，包括以下步骤：1）、将边缘漏电的电池片接直流电源，利用热成像仪确定所述电池片边缘漏电的具体位置；2）、利用砂纸将所述电池片的边缘漏电区域打磨掉。本发明的晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法，简单易用，可操作性强，因边缘刻蚀不净或未刻蚀的边缘漏电电池片经砂纸打磨后漏电及转换效率达到正常电池片的水平，外观方面也符合正常电池片的控制标准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 边缘 漏电 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：1）、将边缘漏电的电池片（1）接直流电源，利用热成像仪（2）确定所述电池片边缘漏电的具体位置；2）、利用砂纸（3）将所述电池片（1）的边缘漏电区域打磨掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
