[发明专利]一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310236804.7 申请日: 2013-06-14
公开(公告)号: CN103337558A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 高艳涛;扬灼坚;孙海平;邢国强 申请(专利权)人: 奥特斯维能源(太仓)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 刘燕娇
地址: 215434 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法,利用离子注入工艺与扩散工艺的结合,或单独使用离子注入工艺,制作受光面的PN结和背场。省去了现有工艺中的多次扩散和掩膜的过程,简化了现有的双面光伏电池制备工艺,降低了生产成本。
搜索关键词: 一种 晶体 双面 电池 制备 方法
【主权项】:
一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法,包括选取N型的硅片,并对该N型硅片进行化学清洗和制绒得到电池衬底,其特征在于,还包括以下步骤:1)在所述电池衬底的受光面制作PN结;2)在电池衬底的背光面形成重掺杂区;3)在电池衬底受光面上沉积钝化膜和减反射膜;4)在电池衬底的背光面上沉积减反射膜;5)制作电池的正负极。
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