[发明专利]一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法有效
申请号: | 201310236804.7 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN103337558A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 高艳涛;扬灼坚;孙海平;邢国强 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法,利用离子注入工艺与扩散工艺的结合,或单独使用离子注入工艺,制作受光面的PN结和背场。省去了现有工艺中的多次扩散和掩膜的过程,简化了现有的双面光伏电池制备工艺,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 双面 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法,包括选取N型的硅片,并对该N型硅片进行化学清洗和制绒得到电池衬底,其特征在于,还包括以下步骤:1)在所述电池衬底的受光面制作PN结;2)在电池衬底的背光面形成重掺杂区;3)在电池衬底受光面上沉积钝化膜和减反射膜;4)在电池衬底的背光面上沉积减反射膜;5)制作电池的正负极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的