[发明专利]具有非对称源极/漏极结构的FinFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201310236958.6 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104037226B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 曾祥仁;江庭玮;陈威宇;杨国男;宋明相;郭大鹏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例为一种半导体器件、一种FinFET器件以及一种形成FinFET器件的方法。一种实施例为一种半导体器件，包括在衬底上方延伸的第一半导体鳍、在第一半导体鳍上的第一源极区以及在第一半导体鳍上的第一漏极区。第一源极区具有第一宽度并且第一漏极区具有与第一宽度不同的第二宽度。本发明还公开了一种具有非对称源极/漏极结构的FinFET及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 结构 finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在衬底上方延伸的第一半导体鳍；位于所述第一半导体鳍上的第一源极区，所述第一源极区具有第一宽度；以及位于所述第一半导体鳍上的第一漏极区，所述第一漏极区具有不同于所述第一宽度的第二宽度；第一栅极，位于所述第一半导体鳍上，其中，所述第一栅极置于所述第一源极区和所述第一漏极区之间；第一伪栅极，位于所述第一半导体鳍上，其中，所述第一伪栅极位于所述第一半导体鳍的邻近所述第一源极区的第一端处；第二伪栅极，位于所述第一半导体鳍上，所述第二伪栅极位于所述第一半导体鳍的邻近所述第一漏极区的第二端处，所述第一半导体鳍的所第二端与所述第一端相对。
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