[发明专利]显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310237104.X 申请日: 2013-06-08
公开(公告)号: CN103515395A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 三宅秀和;植村典弘;野田刚史;铃村功;金子寿辉 申请(专利权)人: 株式会社日本显示器
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;马立荣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种显示装置,具有:在透明基板上形成的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着氧化物半导体的沟道区域并分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖漏电极以及源电极的层间电容膜、在层间电容膜上形成的公共电极、以及与公共电极相对地形成的像素电极,该显示装置的特征在于,在氧化物半导体与漏电极以及源电极之间,形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层,漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜,漏电极以及源电极与氧化物半导体直接接触。
搜索关键词: 显示装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种显示装置,具有:在透明基板上形成的栅电极、覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着所述氧化物半导体的沟道区域并且分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖所述漏电极以及源电极的层间电容膜、在所述层间电容膜上形成的公共电极、以及与所述公共电极相对地形成并与所述源电极连接的像素电极,其特征在于,在所述氧化物半导体与所述漏电极以及源电极之间,形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层,所述漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜,所述漏电极以及源电极与所述氧化物半导体直接接触。
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