[发明专利]半导体鳍状结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310238095.6 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104241089B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;黄志森;洪世芳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体鳍状结构及其形成方法。该半导体鳍状结构的形成方法，至少包含以下步骤首先，提供一基底，然后形成多个鳍状结构、多个第一虚置鳍状结构以及多个第二虚置鳍状结构于该基底上，接着以一第一图案化光致抗蚀剂当做一掩模，并且进行一第一蚀刻步骤，以移除各该第一虚置鳍状结构，在该第一蚀刻步骤之后，以一第二图案化光致抗蚀剂当做一掩模，并且进行一第二蚀刻步骤，以移除各该第二虚置鳍状结构，其中该第一图案化光致抗蚀剂的图案密度较该第二图案化光致抗蚀剂的图案密度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体鳍状结构的形成方法，至少包含以下步骤：提供一基底；形成多个鳍状结构、多个第一虚置鳍状结构以及多个第二虚置鳍状结构于该基底上；以一第一图案化光致抗蚀剂当做一掩模，并且进行一第一蚀刻步骤，以移除各该第一虚置鳍状结构；在该第一蚀刻步骤之后，以一第二图案化光致抗蚀剂当做一掩模，并且进行一第二蚀刻步骤，以移除各该第二虚置鳍状结构，其中该第一图案化光致抗蚀剂的图案密度较该第二图案化光致抗蚀剂的图案密度高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
