[发明专利]一种能减低位错密度的LED芯片生长方法在审
| 申请号： | 201310238927.4 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104241472A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 朱忠才;赵强 | 申请（专利权）人： | 江苏稳润光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明设计一种在金属热沉上制备功率型LED芯片及其制备方法，具体步骤为：在蓝宝石衬底(300)上生长GaN缓冲层(310)，在缓冲层上蒸镀透明电极Ni/Au(320)；在透明电极上蒸镀Ni/Ag/Ti/Au反射层(330)；在反射层上电镀平整的、周期性的金属热沉单元(340)，厚度在50μm左右，间隔在50μm左右；在金属热沉上生长LED外延片，生长方式是侧向外延，这种方式生长的LED外延片，位错密度明显降低，从而提高了外延片的晶体品质，相应的光学、电学性能也得到改善，实验证实，阴极荧光谱(CL谱)和电致发光谱(EL谱)强度都有增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减低 密度 led 芯片 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种能减低位错密度的LED芯片，具体结构包括以下部分： 金属热沉厚度大于50微米，表面平整，金属热沉上直接生长N型GaN； 金属热沉下面是反射层，反射层逐层由Ni、Ag、Ti、Au金属组成，Ni联结Ag和透明电极； 反射层下面为透明N型电极，透明N型电极为氧化的Ni和Au组成； 透明N型电极下面是缓冲层； 在金属热沉上生长N型GaN； 在N型GaN上生长有源层，有源层采用多量子阱结构； 有源层上面为P型GaN P型GaN上面为P型电极，P型电极和P型GaN之间为欧姆接触。
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