[发明专利]反应腔室以及设置有该反应腔室的半导体处理设备有效
申请号: | 201310239143.3 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN104233225B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 党志泉 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种反应腔室以及设置有该反应腔室的设备,涉及半导体设备领域,可解决现有反应腔体安装维护麻烦,石英筒容易受径向应力碎裂的问题。本发明所述反应腔室包括反应腔,以及覆盖于所述反应腔顶端的反应腔上盖,所述反应腔包括呈桶状的金属腔体,与所述反应腔上盖密封连接;嵌套于所述金属腔体内的石英筒,设置在所述石英筒的外壁的感应加热线圈;以及,嵌套于所述石英筒内的带孔石墨筒。 | ||
搜索关键词: | 反应 以及 设置 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种反应腔室,包括:反应腔,以及覆盖于所述反应腔顶端的反应腔上盖,其特征在于,所述反应腔包括:呈桶状的金属腔体,与所述反应腔上盖密封连接;嵌套于所述金属腔体内的石英筒,设置在所述石英筒的外壁的感应加热线圈;以及,嵌套于所述石英筒内的带孔石墨筒;对所述金属腔体的内表面进行抛光处理,或者在所述金属腔体的内表面设置有反射层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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