[发明专利]反应腔室以及设置有该反应腔室的半导体处理设备有效

专利信息
申请号: 201310239143.3 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN104233225B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 党志泉 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100026 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种反应腔室以及设置有该反应腔室的设备,涉及半导体设备领域,可解决现有反应腔体安装维护麻烦,石英筒容易受径向应力碎裂的问题。本发明所述反应腔室包括反应腔,以及覆盖于所述反应腔顶端的反应腔上盖,所述反应腔包括呈桶状的金属腔体,与所述反应腔上盖密封连接;嵌套于所述金属腔体内的石英筒,设置在所述石英筒的外壁的感应加热线圈;以及,嵌套于所述石英筒内的带孔石墨筒。
搜索关键词: 反应 以及 设置 半导体 处理 设备
【主权项】:
一种反应腔室,包括:反应腔,以及覆盖于所述反应腔顶端的反应腔上盖,其特征在于,所述反应腔包括:呈桶状的金属腔体,与所述反应腔上盖密封连接;嵌套于所述金属腔体内的石英筒,设置在所述石英筒的外壁的感应加热线圈;以及,嵌套于所述石英筒内的带孔石墨筒;对所述金属腔体的内表面进行抛光处理,或者在所述金属腔体的内表面设置有反射层。
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