[发明专利]薄膜晶体管的沟道形成方法及补偿电路

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的沟道形成方法及补偿电路，方法包括：在基板上形成非晶硅层；对非晶硅层进行刻蚀处理，以形成包括多个非晶硅层的非晶硅图形，其中多晶硅图形中的每一非晶硅层均为弯折结构；在非晶硅图形中的每一非晶硅层形成两断开空间，两断开空间分别形成于非晶硅层的相邻的弯折部位；对已形成断开空间的非晶硅图形进行激光照射处理，以使得位于每一断开空间两侧的非晶硅层内的晶粒在温度差的作用下朝着对应的断开空间方向生长，并在断开空间内结晶形成薄膜晶体管的沟道。本发明可提高形成的沟道的电子迁移率，电性更加均匀。

主权项

一种薄膜晶体管的沟道形成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 提供基板，在所述基板上形成非晶硅层； 对所述非晶硅层进行刻蚀处理，以形成包括多个非晶硅层的非晶硅图形，其中所述多晶硅图形中的每一非晶硅层均为弯折结构； 在每一非晶硅层形成两断开空间，所述两断开空间分别形成于所述非晶硅层的相邻的弯折部位； 对已形成断开空间的非晶硅图形进行激光照射处理，以使得位于每一断开空间两侧的非晶硅层内的晶粒在温度差的作用下朝着对应的断开空间方向生长，并在所述断开空间内结晶形成薄膜晶体管的沟道。