[发明专利]半导体芯片的背面倒角工艺

摘要

本发明涉及一种半导体芯片的背面倒角工艺，特征是，包括以下工艺步骤：将倒扣焊电路按预定方向放置于划片蓝膜上固定；再根据倒扣焊电路芯片厚度设置切割深度与切割次数，选定刀片用砂轮划片机进行切削；切削结束，取下电路，用无尘纤维纸擦拭芯片背部后将电路交出。本发明不需改变现有的切割设备、工装夹具等；背面处理后芯片边缘斜角呈阶梯状，阶梯斜度一致性好，美观；倒装焊芯片边缘无缺损、无裂纹，不引入外来物沾污，电路可靠性好、成品率高。本发明不增加设备、工装夹具，实现倒装焊接芯片的背面倒角处理。

主权项

一种半导体芯片的背面倒角工艺，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）将芯片背面朝上放置于划片蓝膜上，去除电路芯片背部蓝膜内部气泡，小气泡用刀片刺破蓝膜将气泡赶除并压平蓝膜；（2）将芯片于划片机上对芯片背面的边缘进行切割：a、设定坐标系：以芯片正面中心作为原点，芯片待切割的一条边缘的垂直方向作为X轴方向，垂直于芯片背面的方向作为Z轴方向；b、第一刀起刀点位置的确定：X轴坐标为A/2－W’，Z轴坐标为H’，其中，A为芯片的宽度，W’ 为X轴方向上第一刀的切割深度，W’=W/2～W，W为刀片的划槽宽度，H’为芯片的厚度；刀片沿Z轴方向由芯片的背面向芯片的正面进行切割，第一刀的Z轴切割深度为芯片边缘倒角的高度H，H为芯片厚度H’的1/3～1/4；c、第n刀的起刀点位置：X轴坐标为A/2－W/2－（n－1）×W，Z轴坐标为H’；刀片沿Z轴方向由芯片的背面向芯片的正面进行切割，第n刀的Z轴切割深度为H－（n－1）×W；其中，n为大于1的整数；d、刀片按照步骤b、步骤c所设定的起刀点和切割深度对芯片进行切割，直至Z轴切割深度≤0时，结束切割，即完成芯片一条边缘倒角的切割；e、按步骤a～d的方法，依次对芯片的其余三条边缘进行切；所述划片机刀片的切割速度为30～50mm/s。