[发明专利]片盒腔室、等离子体加工设备及片盒腔室的吹扫方法有效
申请号: | 201310239693.5 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN104241174B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 郭宁 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的片盒腔室、等离子体加工设备及片盒腔室的吹扫方法,其包括进气装置和排气装置,进气装置包括气源、气路、第一通断阀和流量控制单元,其中,气路的进气端与气源连通,气路的出气端与片盒腔室的内部连通;气源用于经由气路向片盒腔室输送不与工件发生反应的气体;第一通断阀用于接通或断开气路;流量控制单元用于调节气路的气体流量。排气装置用于将气体排出片盒腔室。本发明提供的片盒腔室,其不仅可以提高片盒腔室的清洁度,而且还可以减少片盒腔室内完成工艺的工件所释放出的反应气体对其他工件及进气装置和排气装置的腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 片盒腔室 等离子体 加工 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种片盒腔室,其包括进气装置和排气装置,其中,所述进气装置包括气源、气路和第一通断阀,所述气路的进气端与所述气源连通,所述气路的出气端与所述片盒腔室的内部连通;所述第一通断阀用于接通或断开所述气路;所述气源用于经由所述气路向所述片盒腔室输送不与工件发生反应的气体;所述排气装置用于将所述气体排出所述片盒腔室,其特征在于,所述进气装置还包括流量控制单元,用以调节所述气路的气体流量;所述气路的出气端设置在所述片盒腔室的顶部,所述排气装置设置在所述片盒腔室的底部,以在所述片盒腔室内形成自上而下的气流;或者,所述气路的出气端和所述排气装置分别设置在所述片盒腔室的相对的两个侧壁上,以在索素和片盒腔室内形成横向的气流;或者,所述气路的出气端设置在所述片盒腔室的侧壁上,所述排气装置设置在所述片盒腔室的顶部或底部;或者,所述气路的出气端设置在片盒腔室的顶部或底部,所述排气装置设置在所述片盒腔室的侧壁上;所述流量控制单元包括与所述第一通断阀并联的支路,在所述支路上设置有质量流量控制器和第二通断阀,其中,所述质量流量控制器用于调节其所在支路的气体流量,所述第二通断阀用于接通或断开其所在支路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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