[发明专利]具有堆叠栅格结构的图像传感器有效
申请号: | 201310241562.0 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN104051474B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 郑允玮;简荣亮;赵志刚;郑志成;陈信吉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一个或多个图像传感器以及将光导向光电二极管的技术。一种具有堆叠栅格结构的图像传感器包括金属栅格,该金属栅给被配置成朝向相应的光电二极管引导光且使光偏离其他光电二极管中。该图像传感器还包括位于金属栅格之上的介电栅格和填充栅格用以将光导向相应的光电二极管且将其从其他光电二极管中导出,在此该填充栅格具有与介电栅格不同的折射率。通过这种方式消除了串扰以及由通过错误的光电二极管探测光而导致出现的其他问题。 | ||
搜索关键词: | 具有 堆叠 栅格 结构 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:金属栅格,形成在光电二极管阵列之上,所述金属栅格包括:第一金属栅格部分,所述第一金属栅格部分包括被配置成将光导向第一光电二极管且使所述光偏离第二光电二极管的第一界面,第二金属栅格部分,被配置成将所述光导向所述第一光电二极管的第二界面;以及介电层在所述第一金属栅格部分和所述第二金属栅格部分之间延伸;介电栅格,形成在所述金属栅格之上,所述介电栅格包括第一介电栅格部分,所述第一介电栅格部分被配置成将所述光导向所述第一光电二极管且使所述光偏离所述第二光电二极管填充材料,形成在所述介电栅格上方,其中,所述填充材料的底面接近所述金属栅格的顶面并且所述填充材料包括颜色过滤材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310241562.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的