[发明专利]包括伪隔离栅极结构的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种包括隔离栅极结构的半导体器件，其中，该器件具有第一有源晶体管、第二有源晶体管、隔离栅极结构以及位于第一有源晶体管、第二有源晶体管和隔离栅极结构下方的有源区。第一有源晶体管和第二有源晶体管都具有第一导电类型的金属栅极（例如，n型和p型中的一种）。隔离栅极结构夹置在第一有源晶体管和第二有源晶体管之间。隔离栅极结构具有第二导电类型的金属栅极（例如，n型和p型中的另一种）。本文还描述了制备这样的器件的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：第一有源晶体管和第二有源晶体管，所述第一有源晶体管和所述第二有源晶体管都具有第一导电类型的金属栅极，其中，所述第一导电类型的金属栅极包括具有第一类型的功函数的第一材料和在所述第一材料上方的第二材料，所述第二材料具有第二类型的功函数；第三有源晶体管和第四有源晶体管，所述第三有源晶体管和所述第四有源晶体管都具有第二导电类型的金属栅极，其中，所述第三有源晶体管的金属栅极与所述第一有源晶体管的金属栅极连续，所述第四有源晶体管的金属栅极与所述第二有源晶体管的金属栅极连续；隔离栅极结构，其中，所述隔离栅极结构包括：第一部分，夹置在所述第一有源晶体管和所述第二有源晶体管之间，所述隔离栅极结构的第一部分具有第二导电类型的金属栅极，其中，所述第二导电类型的金属栅极包括第二类型的功函数的所述第二材料；第二部分，夹置在所述第三有源晶体管和所述第四有源晶体管之间，所述隔离栅极结构的第二部分具有第一导电类型的金属栅极，其中，所述隔离栅极结构的第一部分和第二部分连续；以及第一有源区，位于所述第一有源晶体管、所述第二有源晶体管和所述隔离栅极结构的第一部分下方；第二有源区，位于所述第三有源晶体管、所述第四有源晶体管和所述隔离栅极结构的第二部分下方。