[发明专利]一种硅通孔结构有效
| 申请号： | 201310241943.9 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104241248B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅通孔结构，包括：硅通孔；以及与所述硅通孔相连接的反熔丝层；所述反熔丝层包括高K氧化物层，在施加电压的情况下，其电阻由高阻态转换到低阻态，在不施加电压的情况下，其电阻可由低阻态转换到高阻态。在本发明中通过设置所述金属层‑高K氧化物层的反熔丝层，实现了所述硅通孔的程序化，通过在电极上施加电压来控制所述硅通孔在不导通（高阻态）到导通（低阻态）之间的反复切换，消除了现有技术中一旦导通便不可逆的弊端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 结构 | ||
【主权项】：
1.一种硅通孔结构，包括：硅通孔；以及与所述硅通孔相连接的反熔丝层；所述反熔丝层包括高K氧化物层，在施加电压的情况下，其电阻由高阻态转换到低阻态，在不施加电压的情况下，其电阻可由低阻态转换到高阻态，以实现所述硅通孔的程序化。
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