[发明专利]紧邻半导体鳍的沟渠及其形成方法有效
| 申请号： | 201310244626.2 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104051526B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 马克·范·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括半导体衬底以及延伸到半导体衬底内的隔离区。半导体带位于隔离区之间且与隔离区接触。半导体鳍位于半导体带上方且连接至半导体带。沟渠从隔离区的顶面延伸到隔离区内，其中沟渠与半导体鳍邻接。本发明还提供了紧邻半导体鳍的沟渠及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 紧邻 半导体 沟渠 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；隔离区，延伸到所述半导体衬底内；半导体带，位于所述隔离区之间并与所述隔离区接触；以及半导体鳍，位于所述半导体带上方并连接至所述半导体带，其中沟渠从所述隔离区的顶面延伸到所述隔离区内，并且所述沟渠邻接所述半导体鳍，其中，所述隔离区包括：含锗隔离部件和无锗隔离部件，其中，所述含锗隔离部件与所述半导体导带和所述无锗隔离部件均邻接。
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