[发明专利]极紫外光刻工艺和掩膜

摘要

本发明公开了一种极紫外光刻(EUVL)工艺。该工艺包括：接收具有多种状态的极紫外(EUV)掩膜。主多边形和邻近第一主多边形分配为不同的状态。所有子分辨率辅多边形分配为相同的状态，分配给子分辨率辅多边形的状态不同于分配给区域(即不具有主多边形和子分辨率辅多边形的布景)的状态。采用部分相干性б小于0.3的近似轴上照明(ONI)，以露出EUV掩膜，从而产生衍射光和非衍射光。去除大部分的非衍射光。使用投影光学箱收集和引导衍射光和没有被去除的非衍射光，从而露出目标。

主权项

一种极紫外光刻工艺，包括以下步骤：接收极紫外线掩膜，所述极紫外线掩模包括：第一主多边形；第二主多边形，邻近所述第一主多边形；多个辅多边形；和不含主多边形和辅多边形的区域，其中，所述主多边形、所述辅多边形和所述区域中的每一个均具有相关的状态，分配给所述第一主多边形的状态不同于分配给所述第二主多边形的状态，分配给所述多个辅多边形的状态相同，并且分配给所述多个辅多边形的状态不同于分配给所述区域的状态；通过部分相干性б小于0.3的轴上照明来曝光所述极紫外线掩膜，从而产生衍射光和非衍射光；去除70％以上的所述非衍射光；以及通过投影光学箱收集和引导所述衍射光和没有被去除的非衍射光以曝光目标；其中，所述极紫外线掩膜包括两种状态：反射系数为r1的第一状态和反射系数为r2的第二状态。