[发明专利]一种斜沟槽超势垒整流器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310245516.8 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103337523A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 殷允超;丁磊 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 张玉平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种既不增加光照次数、又能克服寄生JEFT效应的斜沟槽超势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板的上部为第一导电类型漂移区，其表面为第一主面，半导体基板的下部为第一导电类型衬底，其表面为第二主面；第一主面上设置有至少一个斜沟槽，在覆盖有绝缘栅氧化层的斜沟槽内填充有导电多晶硅，斜沟槽的周围以及两两相邻斜沟槽之间靠近第一主面处设置有第二导电类型注入区，斜沟槽上边缘与第一主面邻接处设置有第一导电类型注入区；导电多晶硅和第一主面上淀积有第一金属层，第二主面上淀积有第二金属层。本发明还公开了上述斜沟槽超势垒整流器件的制造方法，制造工艺更加简单，工艺窗口大，满足批量生产要求，节约成本约25～30％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 超势垒 整流 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种斜沟槽超势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为第一导电类型衬底，半导体基板上部为第一导电类型的漂移区，所述第一导电类型衬底与第一导电类型漂移区相邻接，半导体基板的上表面为第一主面，半导体基板的下表面为第二主面；所述第一导电类型漂移区的掺杂浓度低于所述第一导电类型衬底区的掺杂浓度；其特征在于：所述的第一主面上设置有至少一个斜沟槽，斜沟槽延伸进入到第一导电类型漂移区，斜沟槽的表面覆盖有绝缘栅氧化层，在覆盖有绝缘栅氧化层的斜沟槽内填充有导电多晶硅，斜沟槽的周围以及两两相邻斜沟槽之间靠近第一主面处设置有第二导电类型注入区，所有的第二导电类型注入区连在一起，形成第二导电类型注入层，所述的斜沟槽上边缘与第一主面邻接处设置有第一导电类型注入区，第一导电类型注入区与第二导电类型注入层相邻接；在所述的导电多晶硅和第一主面上淀积有第一金属层，第一金属层与导电多晶硅、第一导电类型注入区和第二导电类型注入层均欧姆接触；在第二主面上淀积有第二金属层，第二金属层与第一导电类型衬底欧姆接触。
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