[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 201310245914.X 申请日: 2013-06-20
公开(公告)号: CN103439843A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 吴明辉;田堃正;龚欣玫;钟仁阳;魏玮君;王辰;廖乾煌;徐文浩 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;王颖
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种像素结构包括第一导体层、堆叠层与第三导体层。第一导体层包括第一栅极、第一扫描线与电容电极。第一栅极连接第一扫描线。第一扫描线与电容电极分离。堆叠层包括半导体层与第二导体层。第二导体层包括数据线、第一源极、第二源极、第一漏极、第二漏极、连接电极与耦合电极。第一源极连接数据线。连接电极连接第二源极且电性连接第一漏极。第二漏极连接耦合电极。第三导体层包括第一像素电极、第二像素电极、第一延伸部与第二延伸部。第一像素电极连接第一漏极。第二像素电极电性连接连接电极。
搜索关键词: 像素 结构
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一第一导体层,配置于一基板上并包括一第一栅极、一第二栅极、一第一扫描线以及一电容电极,该第一栅极连接该第一扫描线而该第一扫描线与该电容电极彼此分离;一堆叠层,配置于该基板上,该堆叠层包括一半导体层以及一堆叠于该半导体层上的第二导体层,其中,该第二导体层包括一数据线、一第一源极、一第二源极、一第一漏极、一第二漏极、一连接电极以及一耦合电极,该第一源极连接该数据线,该连接电极连接该第二源极且电性连接该第一漏极,该第二漏极连接该耦合电极;一第三导体层,配置于该基板上并包括一第一像素电极、一第二像素电极,一第一延伸部以及一第二延伸部,其中,该第一像素电极连接该第一漏极,该第二像素电极电性连接于该连接电极,该第一延伸部连接该第一像素电极并与该耦合电极一部份重叠,该第二延伸部连接该电容电极并与该耦合电极另一部份重叠。
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