[发明专利]用于半导体封装件的凸块结构在审

专利信息
申请号: 201310247742.X 申请日: 2013-06-20
公开(公告)号: CN103872000A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 余振华;林孟良;高志杰;黄震麟;林俊成;许国经 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种封装结构包括通过将位于第一衬底上的金属柱连接至位于第二衬底上的连接件从而将第一衬底接合至第二衬底。在位于第一衬底的第一区上的金属焊盘上方形成第一金属柱并且第一金属柱电连接至金属焊盘,并且在第一衬底的第二区中的钝化层上方形成第二金属柱。在金属柱和第一连接件之间形成第一焊接区,并且在第二金属柱和第二连接件之间形成第二焊接区。第一金属柱的横向尺寸大于第二金属柱的横向尺寸。本发明还提供了一种用于半导体封装件的凸块结构。
搜索关键词: 用于 半导体 封装 结构
【主权项】:
一种封装结构,包括:接合至第二衬底的第一衬底,其中,所述第一衬底包括:金属焊盘,位于所述第一衬底的第一区上方;有源凸块结构,位于所述金属焊盘上方并且包括第一横向尺寸(W1)的第一金属柱;钝化层,位于所述第一衬底的第二区上方;和伪凸块结构,位于所述第二区中的钝化层上方并且包括第二横向尺寸(W2)的第二金属柱;所述第二衬底包括:第一连接件,具有第三横向尺寸(W3);和第二连接件,具有第四横向尺寸(W4);并且其中,所述第一金属柱焊接至所述第一连接件,所述第二金属柱焊接至所述第二连接件,并且所述W1大于所述W2
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