[发明专利]一种垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法在审
| 申请号： | 201310248779.4 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN104241458A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王嘉星 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法。该方法包括：在生长衬底上外延生长N型GaN层，该方法还包括在所述N型GaN层上外延生长多量子阱有源层，该方法还包括在所述多量子阱有源层上外延生长P型GaN层，其中所述多量子阱有源层由n层InXGa1-XN/GaN多量子阱组成，其中n为整数，取值范围为2-20，其中每个量子阱的垒宽是不同的。本发明通过改变多量子阱中垒的宽度从而优化载流子在量子阱中的分布，让载流子尽量分布在更多的量子阱内发生复合，从而提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可变 氮化 led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垒宽可变的氮化镓基LED外延片的制备方法，该方法包括：在生长衬底上外延生长N型GaN层；在所述N型GaN层上外延生长多量子阱有源层；在所述多量子阱有源层上外延生长P型GaN层；其特征在于所述多量子阱有源层由n层InXGa1‑XN/GaN多量子阱组成，其中n为整数，取值范围为2‑20，其中每个量子阱的垒宽是不同的。
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