[发明专利]静电放电保护电路在审

专利信息
申请号: 201310250001.7 申请日: 2013-06-21
公开(公告)号: CN103515939A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: K·T·塔黑扎德卡斯察尼 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器德国股份有限公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00;H02H9/04
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明提供包含电子电路和ESD保护电路的电子装置。ESD保护电路包含第一和第二保护级,其中第二保护级包含至少一个高压侧CMOS晶体管和充当功率耗散轨钳的低压侧CMOS晶体管。至少一个高压侧CMOS晶体管和至少一个低压侧CMOS晶体管联接,以便在电子装置的节点和供电电压轨之间提供齐纳二极管的反串联连接。进一步地,高压侧CMOS晶体管和低压侧CMOS晶体管是互补CMOS晶体管。
搜索关键词: 静电 放电 保护 电路
【主权项】:
一种电子装置,包含至少一个集成电路,即IC,和用于所述至少一个集成电路的故障安全保护的静电放电即ESD保护电路,所述ESD保护电路包含:具有主功率耗散钳的主保护级和随后的副保护级,所述副保护级经限流电阻器联接到所述主保护级,其中第一主功率耗散钳在所述电子装置的第一供电电压和所述ESD保护电路的输入端之间串联联接,并且第二主功率耗散钳在所述电子装置的第二供电电压和所述ESD保护电路的所述输入端之间串联联接,所述保护电阻器在所述ESD保护电路的所述输入节点和输出节点之间串联联接,并且其中所述副保护级包含:至少一个高压侧CMOS晶体管,其在所述输出端和所述第一供电电压之间联接并且充当第一副轨钳,以及低压侧CMOS晶体管,其在所述输出端和所述第二供电电压之间联接并且充当第二副轨钳,其中所述至少一个高压侧CMOS晶体管和所述低压侧CMOS晶体管被联接,以便在所述输出节点和所述第一供电电压之间提供齐纳二极管的反串联连接,并且其中:所述低压侧CMOS晶体管被联接以提供在所述输出端和所述第二供电电压之间以正方向联接的齐纳二极管,以及所述高压侧CMOS晶体管和所述低压侧CMOS晶体管是互补CMOS晶体管。
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