[发明专利]可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310250184.2 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103346167A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王新;朱怀宇 | 申请（专利权）人： | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管及其制造方法，包括衬底（20）及N外延层（21）；N外延层（21）中设有柱形沟槽，柱形沟槽内部生长栅氧化层（26），柱形栅电极（25）通过栅氧化层（26）与N外延层（21）相互电隔离；体区（22）的上方设有源区（24），源区（24）之间设有欧姆接触区（23），芯片表面设有淀积的隔离氧化层，隔离氧化层上与柱形栅电极（25）相对应的位置刻蚀有柱形栅极接触孔（28），与欧姆接触区（23）相对应的位置刻蚀有源极接触孔（27）。本发明改变了现有MOSFET栅极的导电方式，减小了栅极电阻Rg和栅极电荷Qg；可以更快把输入电容充满电，更快的开启MOSFET，从而提高开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 有效 降低 栅极 电阻 电容 柱栅金氧 半场 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管，其特征在于：它包括衬底（20）及位于衬底（20）上的N外延层（21）；N外延层（21）中设有柱形沟槽，柱形沟槽内部生长栅氧化层（26），柱形沟槽的两侧设有由多晶硅淀积形成的柱形栅电极（25），淀积多晶硅在器件结构的表面上，并填充柱形沟槽内部至整个表面，柱形栅电极（25）通过栅氧化层（26）与N外延层（21）相互电隔离；栅氧化层（26）之间设有体区（22），体区（22）的上方设有源区（24），源区（24）之间设有欧姆接触区（23），芯片表面设有淀积的隔离氧化层，隔离氧化层上与柱形栅电极（25）相对应的位置刻蚀有柱形栅极接触孔（28），与欧姆接触区（23）相对应的位置刻蚀有源极接触孔（27）。
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